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INS-H11MC高真空磁控濺射鍍膜儀
    發(fā)布時(shí)間: 2026-01-28 14:22    

配備防污染系統(tǒng)
提高樣品鍍膜效果

INS-H11MC高真空磁控濺射鍍膜儀
INS-H11MC

                                                           ?一鍵式操作自動(dòng)完成鍍膜全過(guò)程


                                                           ?內(nèi)置常用靶材參數(shù)一鍵調(diào)用,方便快捷

                                                           ?極限真空優(yōu)于5E-3Pa滿足大部分場(chǎng)景需求


                                                           ?一體成型真空室更優(yōu)真空性能

                                                           ?配備防污染系統(tǒng)提高樣品鍍膜效果

                                                           ?鍍膜過(guò)程樣品溫升少適用范圍更廣


主要參數(shù)

外形尺寸

278(L)×494(H)×467(D) mm

濺射靶頭

平面磁控冷濺射靶頭

靶材尺寸

Φ50mm,厚度支持0.1-2mm

可用靶材

所有金屬、導(dǎo)電材料等靶材

工作電流

1-200mA可調(diào)(步長(zhǎng):1mA)

鍍膜時(shí)間

1-9999s可調(diào)(步長(zhǎng):1s)

真空泵

旋片泵(可選干泵)+分子泵

主真空泵抽速

90L/s

真空室

170(L)×150(H)×163.5(D) mm

一體加工金屬腔室

極限真空

≤5×10-3Pa

工作介質(zhì)

高純氬氣

工作真空

0.5-1Pa可調(diào)

供電

AC220V/50Hz

額定功率

<800W

預(yù)濺射

全自動(dòng)預(yù)濺射清潔功能,配合預(yù)濺射擋板,防止樣品污染、提高鍍膜純度

樣品臺(tái)

Φ80mm,支持旋轉(zhuǎn)、升降及傾斜功能

其它

真空度、工作電流可實(shí)時(shí)曲線顯示