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型號：AT650P/850P(等離子體增強(qiáng)型）      AT650T/850T（熱型）

AT650T/850T可在用戶現(xiàn)場升級為AT650P/850P

技術(shù)參數(shù)：

·小型桌面等離子體型 

·基體溫度高達(dá)400℃ 

·具有空心陰極源 更快生長速率 | 更高電子密度 | 更低等離子體損傷 | 更少氧氣污染 

·配置高頻率射頻的空心等離子體 

·以熱型ALD成本提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的等離子體系統(tǒng) 

·3種有機(jī)金屬源(可加熱至185℃),1個常溫源(可升級至185℃)和最多4種氧化劑/還原劑源

·耐高溫的快速脈沖ALD閥門，配備超快MFC進(jìn)行集成惰性氣體吹掃-標(biāo)配 

·高達(dá)6英寸或8英寸的基板，并可提供定制卡盤/底座 

·靜態(tài)反應(yīng)模式下可實(shí)現(xiàn)高覆蓋

選項：

·定制卡盤/底座 

·QCM(石英晶體微天平) 

·為您的瓶子設(shè)計起泡器 

·負(fù)載鎖(或手套箱接口) 

·共反應(yīng)物線(MFC控制)(最多可增加2條) 

·額外升級前驅(qū)體加熱管線至185℃,共4條

·咨詢可定制系統(tǒng)